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Einführung in die Halbleitertheorie / A. I. Anselm; hrsg. von Hans Neuman.
- Format:
- Book
- Author/Creator:
- Anselm, A. I., Author.
- Language:
- German
- Subjects (All):
- Semiconductors--Analysis.
- Semiconductors.
- Physical Description:
- 1 online resource (424 p.) : Mit 90 Abbildungen und 4 Tabellen
- Edition:
- Reprint 2021
- Place of Publication:
- Berlin ; Boston : De Gruyter, [2022]
- Language Note:
- In German.
- Summary:
- Keine ausführliche Beschreibung für "Einführung in die Halbleitertheorie" verfügbar.
- Contents:
- Frontmatter
- VORWORT ZUR DEUTSCHEN AUSGABE
- VORWORT ZUR RUSSISCHEN AUSGABE
- INHALTSVERZEICHNIS
- KAPITEL I. GEOMETRIE DER KRISTALLGITTER UND BEUGUNG VON RÖNTGENSTRAHLEN
- § 1. Einfache und zusammengesetzte Kristallgitter
- § 2. Beispiele konkreter Kristallstrukturen
- § 3. Gewöhnliches und reziprokes Gitter des Kristalls
- § 4. Die Formeln von LAUE und BRAGG für die Beugung von Röntgenstrahlen in Kristallen. Atom- und Strukturfaktor der Streuung
- KAPITEL II. DIE NATUR DER WECHSELWIRKUNGSKRÄFTE DER ATOME IN KRISTALLEN
- § 1. Über die Wechselwirkung zwischen Atomen und Ionen
- § 2. Ionen- und VAN DER WAALS-Kristalle
- § 3. Atomare Kristalle und Metalle
- KAPITEL III. DIE SCHWINGUNGEN DER ATOME EINES KRISTALLGITTERS
- § 1. Schwingungen und Wellen im eindimensionalen (linearen) aus gleichartigen Atomen bestehenden Gitter
- § 2. Schwingungen und Wellen in einem zusammengesetzten eindimensionalen (linearen) Kristallgitter
- § 3. Normalkoordinaten für das einfache eindimensionale Gitter
- § 4. Schwingungen der Atome des dreidimensionalen zusammengesetzten Kristallgitters
- § 5. Normalschwingungen des dreidimensionalen Gitters
- § 6. Wärmekapazität des Kristallgitters
- § 7. Zustandsgleichung des festen Körpers
- § 8. Phononen
- § 9. Wärmeausdehnung und Wärmeleitfähigkeit im testen Körper
- KAPITEL IV. ELEKTRONEN IM IDEALEN KRISTALL
- § 1. Allgemeine Aufgabenstellung. Adiabatische Näherung
- § 2. HARTREE-FOCK-Methode
- § 3. Die Methoden von HEITLER-LONDON-HEISENBERG (HLH) und HUNDMULLIKEN- BLOCH (HMB) in der Elektronentheorie der Kristalle
- § 4. Allgemeine Eigenschaften eines sich im periodischen Feld bewegenden Elektrons
- § 5. Der Begriff des positiven Defektelektrons des fast gefällten Valenzbandes
- § 6. Die Näherung nahezu freier (schwach gebundener) Elektronen. BRILLOUIN-Zonen
- § 7. Die Näherung stark gebundener Elektronen
- § 8. Die Struktur der Energiebänder für eine Reihe konkreter Halbleiter
- KAPITEL V. LOKALISIERTE ZUSTÄNDE DES ELEKTRONS IM KRISTALL
- § 1. Bewegung des Elektrons im gestörten periodischen Feld (Methode der effektiven Masse)
- § 2. Lokalisierte Zustände des Elektrons im nichtidealen Kristall
- § 3. Excitonen
- § 4. Polaronen
- KAPITEL VI. ELEKTRISCHE, MAGNETISCHE UND WÄRMEEIGENSCHAFTEN DES FESTEN KÖRPERS
- § 1. Metalle, Dielektrika und Halbleiter
- § 2. Statistisches Gleichgewicht freier Elektronen in Halbleitern und Metallen
- § 3. Die Wärmekapazität freier Elektronen in Metallen und Halbleitern
- § 4. Magnetische Eigenschaften der Stoffe. Der Paramagnetismus der Gase und der Leitungselektronen in Metallen und Halbleitern
- § 5. Der Diamagnetismus der Atome und Leitfähigkeitselektronen. Magnetische Eigenschaften von Halbleitern
- § 6. Zyklotronresonanz (diamagnetische Resonanz)
- § 7. Der Kontakt Halbleiter — Metall. Gleichrichtung
- § 8. Eigenschaften von p — n-Übergängen
- KAPITEL VII. TRANSPORTGLEICHUNG UND RELAXATIONSZEIT FÜR LEITFÄHIGKEITSELEKTRONEN IN KRISTALLEN
- § 1. Transporterscheinungen und BOLTZMANN-Gleichung
- § 2. Die Transportgleichung für Elektronen im Kristall
- § 3. Die Streuung der Elektronen an Gitterschwingungen im atomaren Kristall
- § 4. Relaxationszeit der Leitungselektronen im atomaren Halbleiter und im Metall
- § 5. Die Theorie des Deformationspotentials in kubischen Kristallen mit einfacher Bänderstruktur
- § 6. Die Relaxationszeit der Leitungselektronen in Ionenkristallen
- § 7. Streuung von Leitfähigkeitselektronen an geladenen und neutralen Störstellenatomen
- KAPITEL VIII. TRANSPORTERSCHEINUNGEN IN HALBLEITERN
- § 1. Einführung
- § 2. Die Bestimmung der Nichtgleichgewichtsverteilungsfunktion der Leitfähigkeitselektronen im Falle sphärischer Form der Flächen konstanter Energie. Elektrische Leitfähigkeit atomarer nichtentarteter Halbleiter
- § 3. Thermoelektrische Erscheinungen in nichtentarteten atomaren Halbleitern mit einfacher Bänderstruktur
- § 4. Galvanomagnetische Erscheinungen in nichtentarteten atomaren Halbleitern mit einfacher Bänderstruktur
- § 5. Thermomagnetische Erscheinungen in nichtentarteten atomaren Halbleitern mit einfacher Bänderstruktur
- § 6. Transporterscheinungen in nichtentarteten Halbleitern mit einfacher Bänderstruktur bei verschiedenen Streumechanismen
- § 7. Transporterscheinungen in Halbleitern mit einfacher Bänderstruktur bei beliebiger Entartung der Ladungsträger
- § 8. Transporterscheinungen in Halbleitern mit komplizierter Bänderstruktur
- § 9. „Drag" - Effekt der Phononen in Halbleitern
- Anhang
- Namenverzeichnis
- Sachverzeichnis
- Notes:
- Description based on online resource; title from PDF title page (publisher's Web site, viewed 31. Jan 2022)
- Description based on publisher supplied metadata and other sources.
- ISBN:
- 3-11-252538-8
- OCLC:
- 1583174920
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